Off-Grid-Wechselrichter 48V

Alle Topologien erfordern schnell schaltende Leistungsschalter. Die Boost-Stufe und die Vollbrücken-Umwandlungsstufe erfordern schnell schaltende Dioden. Darüber hinaus sind für diese Topologien auch Schalter nützlich, die für die Niederfrequenzwandlung (100 Hz) optimiert sind. Für jede bestimmte Siliziumtechnologie weisen Schalter, die für schnelles Schalten optimiert sind, höhere Leitungsverluste auf als Schalter, die für niederfrequente Schaltanwendungen optimiert sind.

Die Boost-Stufe ist im Allgemeinen als Konverter für den Dauerstrommodus ausgelegt. Wählen Sie entsprechend der Anzahl der Solarmodule im vom Wechselrichter verwendeten Array, ob Sie 600-V- oder 1200-V-Geräte verwenden möchten. Die beiden Optionen für Leistungsschalter sind MOSFET und IGBT. Im Allgemeinen kann ein MOSFET mit einer höheren Schaltfrequenz arbeiten als ein IGBT. Darüber hinaus muss immer der Einfluss der Body-Diode berücksichtigt werden: Bei der Boost-Stufe stellt dies kein Problem dar, da die Body-Diode im normalen Betriebsmodus nicht leitet. Der Leitungsverlust eines MOSFET kann anhand des Leitungswiderstands RDS(ON) berechnet werden. Für eine bestimmte MOSFET-Serie ist dies proportional zur effektiven Chipfläche. Wenn die Nennspannung von 600 V auf 1200 V geändert wird, erhöht sich der Leitungsverlust des MOSFET erheblich. Daher ist der 1200-V-MOSFET nicht verfügbar oder der Preis ist zu hoch, selbst wenn der Nenn-RDS(ON) gleichwertig ist.

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